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英特尔、美光推 3D XPoint 要掀记忆体革命,将可同时取代 DRAM 与

2020-08-02 来源:http://www.sb5564.com 826
英特尔、美光推 3D XPoint 要掀记忆体革命,将可同时取代 DRAM 与

记忆体的重大突破出现!7 月 29 日美光与英特尔共同发表新型非挥发性记忆体晶片 3D XPoint,且可同时取代 DRAM 与 NAND 在运算端的需求,据官方发表的资讯,速度将可提升到 NAND Flash 的 1,000 倍、密度将比 DRAM 高出 10 倍,处理器与资料之间的延迟将可被降低,当分析速度加快,也开启了更大的运用範畴,机器学习、即时追蹤疾病以及超拟真 8K 游戏等在未来都将成为可能。

半导体产业每隔几年总有新型记忆体技术发表,诸如惠普、IBM、还有飞思卡尔等都尝试过创造要比现有技术更快、密度更高、成本更低廉或各种条件权衡之下的替代品,但大多都因为昂贵、易碎等因素难以取代主流技术。

英特尔与美光早在 2005 年即一同携手进军 NAND Flash 市场,7 月 29 日又再一同发表新的 3D XPoint 非挥发性记忆体,成为挑战者之一,且意图做个革新者,3D XPoint 技术意图取代 DRAM 与 NAND Falsh 在运算端的需求,官方新闻稿声称,已在成本与功耗、效能之间取得平衡。

3D X point 为独立在 DRAM 与 NAND 以外的全新「Non-Volatile Memory Form Factor」,英特尔称此为 1989 年 NAND 快闪晶片推出以来,第一个新的记忆体类别。

英特尔、美光推 3D XPoint 要掀记忆体革命,将可同时取代 DRAM 与

其不像 DRAM,3D X point 不需要电晶体就可以执行读写,结构上近似现在较先进的 3D NAND  技术皆为 3D 架构,但不像 NAND 以电荷将资讯储存于元件,而是储存在架构中字组线(word line)与位元线(bit line)的交叉点上,系统因此得以单独存取每个储存单元,当系统能以小单位读取与写入资料,读写程序将变得更快,目前官方给的讯息,记忆体储存单元配置共 1,280 亿个,且为可堆叠,目前初步技术堆叠至两层、每个晶粒能储存 128Gb,未来将持续发展更高层的堆叠技术增加储存容量。

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英特尔声称,3D X point 的密度比 DRAM 高出 10 倍,速度与耐用度比 NAND 高出 1,000 倍。先前三星推出 8Gb DDR4 DRAM,新技术的发表让美光也放话,未来将可提供容量高达 2TB、密度比 DRAM 高 125 倍的 DRAM 晶片。

3D X point 基本上大幅降低了处理器与资料之间的延迟,预估未来也将有更多崭新的运用,拓展出机器学习、即时追蹤疾病以及超拟真 8K 游戏等发展。

英特尔表示,3D X point 将于 2015 年稍晚送样给特定客户,而英特尔与美光目前已开始着手开发包含 3D X point 技术的相关产品。记忆体储存相关调研机构 DRAMeXchange 预估,初期 3D X point  该将先出现于高阶的伺服器与商业应用端。

受到新技术发表的激励,英特尔股价 28 日上涨了 2.15% 收在 28.96 美元、美光股价更劲扬了 9%,来到 19.75 美元。



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